東北大学 未来科学技術共同研究センター
教 授
松岡 隆志

受 賞 歴

個 人 受 賞

  1. T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Yoshikuni and K. Kuroiwa, ECOC Prize 1984 (the best paper of 10th European Conference on Optical Communication), Stuttgart Germany, September (1984),"Verification of the LightPhase Effect at the Facet on DFB Laser Properties".
    (ECOC は世界３大光通信国際会議での最優秀論文賞)
  2. 松岡 隆志, NTT 社長表彰 1988.10.23, "超高速･長スパン光ファイバ伝送技術の開発".
  3. 松岡 隆志, NTT 物性科学基礎研究所長表彰 所長表彰 論文賞 2003 年 3 月 20 日, 受賞 対象論文 "Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett., 81(2002)1246.
  4. 松岡 隆志, 第 8 回応用物理学会フェロー表彰,"長波長 DFB-LD と窒化物の研究による半導体光素子の開発", 2014 年 9 月 17 日.
  5. 松岡 隆志, (公社）日本結晶成長学会 業績賞および赤﨑勇賞, "光ファイバ通信・青色発 光素子用結晶の先駆的　成長技術", 2016 年 8 月 11 日.
  6. 松岡 隆志, 文部科学大臣表彰 科学技術賞, 研究部門, "新しい半導体材料の開発とそ の素子応用に関する研究", 2017 年 4 月 19 日.
  7. 松岡 隆志, 電子情報通信学会 第 20 回エレクトロニクスソサイエティ賞, 光半導体お よびフォトニクス分野, "長波長帯分布帰還型レーザの開発と窒化物半導体基礎物性の解明によるエレクトロニクスへの貢献", 2017 年 9 月 13 日.
  8. 松岡 隆志, 第 69 回（平成 29 年度）河北文化賞, "赤外から青色までの半導体材料とその素子応用によるエレクトロニクスの発展への貢献", 2018 年 1 月 17 日.
  9. 松岡 隆志, 第 8 回（平成 29 年度）応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞 (赤﨑勇賞), "InGaN 系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究", 2018 年 3 月 17 日.

学生およびスタッフの受賞

  1. 正直 花奈子(学部 4 年), 総長賞 2011 年 3 月 25 日.
  2. 谷川 智之, 正直 花奈子(修士 2 年), 崔 正焄(博士 2 年), 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 17 回 応用物理学会東北支部講演奨励賞, "(0001)面、(0001)面 GaN 上へ MOVPE 成長したInGaN の表面モフォロジーと In 取り込み", 2012 年 12 月 6 日.
  3. 岩渕 拓也(博士 1 年), 逢坂 崇(修士 1 年), 吉野川 信雄(修士 1 年), 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, サイエンスデイ AWARD2013 にかにか賞・子ども未来賞（同時受賞）"光を使って、話をしよう", 2013 年 7 月 25 日.
  4. 正直 花奈子(博士 1 年), 崔 正焄(博士 3 年), 花田 貴, 谷川 智之, 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 74 回応用物理学会秋季講演会 Poster Award, "ヒロック形成にともなう m 面 InGaN 薄膜の In 組成分布観察", 2013 年 9 月 17 日.
  5. 谷川 智之, 正直 花奈子(博士 1 年), 逢坂 崇(修士 1 年), 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 126 回金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞, "サイファイア基板上（0001）GaN の有機金属気相成長における Mg による表面マイグレーションの促進", 2013 年 11 月 28 日.
  6. 正直 花奈子(博士 1 年), 崔 正焄(博士 3 年), 花田 貴, 谷川 智之, 片山 竜二, 松岡 隆志,2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award, "Observation of Indium Content Distribution on m-Plane InGaN Film with Hillocks ", 2014 年 3 月 10 日.
  7. 吉野川 伸雄(修士 2 年), 逢坂 崇(修士 2 年), 木村 健司,谷川 智之,片山 竜二, 松岡 隆志, 福山博之, 金属材料研究所第 127 回講演会 ポスター賞, "サファイア窒化 AIN 基 板を用いた MOVPE 法による N 極性 GaN の成長", 2014 年５月 28 日.
  8. 正直 花奈子(博士 2 年), 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志,第 37 回応用物理学会講演奨励賞, "サファイア基板上 MOVPE 成長 N 極性面(0001) InGaN を用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製", 2014 年 11 月 26 日.
  9. 逢坂 崇(修士 2 年), 谷川 智之, 木村 健司, 正直 花奈子(博士 2 年), 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 128 回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞, "転位低減に向けたN極性(0001)面GaNのMOVPE選択成長", 2014 年 11 月 27 日.
  10. 正直 花奈子(博士 2 年), 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 128 回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞, "MOVPE 成長 N 極性(0001)InGaN 発光 ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現", 2014 年 11 月 27 日.
  11. 正直 花奈子(博士 2 年), 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 19 回 応用物理学会東北支部 講演奨励賞, "MOVPE 法による可視光全域波長の発光を有する N 極性(0001)InGaN 発光ダイオードの作製", 2014 年 12 月 5 日.
  12. 野々田 亮平(修士 1 年), 正直 花奈子(博士 3 年), 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 第 20 回応用物理学会東北支部 講演奨励賞, "N 極性(0001)p 型 GaN の MOVPE 成長 におけるMg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響", 2016 年 1 月 23 日.
  13. 正直 花奈子(博士 3 年), 第 6 回日本学術振興会育志賞, "-c 面窒化インジウムガリウム 混晶の有機金属気相成長と光学素子応用", 2016 年 3 月 2 日.
  14. 谷川 智之,川島 静人(修士 1 年),正直 花奈子(博士 3 年), 窪谷 茂幸,片山 竜二,松岡 隆志, 第７回薄膜太陽電池セミナー 優秀ポスター賞, "InGaN/GaN 太陽電池の格子極性と 発電特性", 2016 年 3 月 14 日.
  15. 劉 陳燁（博士 1 年）, 正直 花奈子(博士 3 年), 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志, Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award, "Polarity Control of GaN Grown on Pulsed-Laser-Deposited AlN/GaN Template by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy", 2016 年 3 月 18 日.
  16. 正直 花奈子（博士 3 年）,平成 27 年度 総長優秀学生賞, 2016 年 3 月 25 日.
  17. 谷川 智之,大西 一生（修士 1 年）, 加納 聖也, 向井 孝志, 松岡 隆志, 第 40 回応用物理学 会講演奨励賞, "二光子励起フォトルミネッセンス法による GaN 中の貫通転位の三次元分 布評価", 2017 年 9 月 17 日.
  18. Tomoyuki Tanikawa, Kazuki Ohnishi, Masaya Kanoh, Takashi Mukai, and Takashi Matsuoka, 第 41 回応用物理学会優秀論文賞, 2019 年 9 月 18 日, "Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence", Appl. Phys. Express 11, 041003 (2018).
  19. Tetsuya Suemitsu, Kiattiwut Prasertsuk, and Takashi Matsuoka, Best Presentation Award in ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021, (virtual symposium due to CORVID-19), "Evidence of Carrier Trapping at Extrinsic Gate Region in N-Polar GaN/AlGaN MIS HEMTs", Mar. 10, 2021. (13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference pn Plasma-Nano Technology & Science