未来科学技術共同研究センター 教授
松岡研究室 ウェブサイトへのご訪問、誠にありがとうございます。現用の光ファイバ通信用高性能光源である分布帰還型DFBレーザの開発を起点として、青色発光ダイオード構成材料であるInGaAlNの提案、及び青色発光層InGaN単結晶薄膜成長に至る光半導体デバイスの高機能化を40年余りにわたって追求して参りました。
現在は、5G用高速・高出力トランジスタについて結晶成長からデバイス作製、および、カーエレクトロニクス用高耐圧・高出力トランジスタの構成材料として期待されている、GaN単結晶基板に関する研究開発を進めています。
当研究室では、新しい材料開発およびその活用が何より重要と考えております。日本は1987年頃、世界のICチップの80%を作っていました。これまで培ってきた結晶成長技術を土台とし、化合物半導体を中心とした新しい材料、新しいデバイスを武器として、“半導体立国日本、再び”をスローガンに邁進していくつもりです。
本ウエブサイトではその想いの一端をお伝えできれば幸いです。