東北大学 未来科学技術共同研究センター
教 授
松岡 隆志

松岡 共同研究

国公立からの委託研究

  1. 平成9年度 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業(CREST)
    テーマ:
    "スピン計測"
    体系的課題番号:
    JPMJCR9538
    代表者:
    北海道大学 大学院工学研究科 武笠 幸一 教授
    役割:
    アドバイザー
    期間:
    平成 9 年 4 月 — 13 年 3 月
    予算:
    5 百万円
  2. 平成16年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 (基盤研究Ｂ)
    課題番号:
    16360008
    テーマ:
    "Ⅱ-Ⅵ、Ⅲ-Ⅴ族ワイドギャップ半導体発光素子の劣化機構解明と制御"
    代表者:
    鳥取大学 工学部 安東 孝止 教授
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成 16 年 4 月 1 日 — 19 年 3 月 31 日
    予算:
    11.3 百万円
  3. 平成17年度 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業(CREST)
    特定課題調査テーマ:
    "シリコン基板上ナノ発光材料探索と素子化に関する研究"
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 17 年10 月1 日 — 18 年 3 月 31 日
    研究予算
    5 百万円
  4. 平成18年度 東北大学 金属材料研究所 ナノマテリアル機能創製研究事業に関わる研究プログラム助成
    テーマ:
    "温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザに関する基礎研究"
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 18 年 4 月1 日 — 20 年 3 月31 日
    予算:
    １0 百万円
  5. 平成18年度 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業(CREST)
    研究領域:
    「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」
    テーマ：
    "温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究"
    体系的課題番号:
    JPMJCR06J4
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 18 年 10 月1 日 — 24 年 3 月 31 日
    予算:
    410.46 百万円 (内 東北大配分280.21 百万円)
  6. 岩手県立工業技術センター
    テーマ:
    "MOCVD による窒化物薄膜の作製と評価に関する研究"
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 18 年 1 月1 日 — 3 月31 日
    予算:
    1 百万円
  7. 平成 18 年 科学技術振興機構 研究成果活用プラザ宮城事業化可能性試験
    テーマ:
    "ZnO 単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立"
    課題番号:
    JST-PROJECT-7700009413
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 18 年10 月1 日 — 19 年2 月28 日
    予算:
    200 万円
  8. 平成21 年科学技術振興機構 シーズ発掘試験研究 A
    テーマ:
    "窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発"
    課題番号:
    JST-PROJECT-09157817
    代表者:
    東北大学金属材料研究所 劉 玉懐 助教
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成 21 年 4 月 1 日 — 22 年 3 月 31 日
    予算:
    200 万円
  9. 平成 21 年 科学技術振興機構 シーズ発掘試験研究 B (発展型)
    テーマ:
    "MOVPE 法によるZnO 基板上の「緑色発光用InGaN」の高温成長技術の確立"
    課題番号:
    JST-PROJECT-09157896
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 21 年 4 月 1 日 — 22 年 3 月 31 日
    予算:
    500 万円
  10. 平成21年度 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 (CREST)
    研究領域
    「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」
    テーマ:
    "励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究"
    体系的課題番号:
    JPMJCR09Q6
    代表者:
    早稲田大学 先進理工学部電気 情報生命工学科 堀越 佳治 教授
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成 21 年10 月1 日 — 27 年3 月31 日
    予算:
    242.79 百万円 (内 松岡分担40.64 百万円)
  11. 平成23年度 日本学術振興会 科学研究補助金基盤研究 (C)
    テーマ:
    "モノリシック白色光源のための窒化物半導体赤色発光層の開発"
    課題番号:
    23560356
    代表者:
    東北大学 金属材料研究所 劉 玉懐 助教
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成23年度 — 25年度
    予算:
    4.1 百万円
  12. 平成23年度 科学技術振興機構 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム (A-STEP) フィージビリティ スタディ
    ステージ:
    探索タイプ
    テーマ:
    "シリコン基板を用いた超高効率窒化物半導体「太陽電池要素技術」に関する開発研究"
    課題番号:
    JST-PROJECT-1110454
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 24 年 4 月 1 日 — 27 年 3 月 31 日
    予算:
    4.98 百万円
  13. 平成24年度 日本学術振興会 科学研究補助金 基盤研究 (C)
    テーマ:
    "オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発"
    課題番号:
    24560362
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 24 年 4 月 1 日 — 27 年 3 月 31 日
    予算:
    2.99 百万円
  14. 平成24年度 科学技術振興機構 復興促進プログラム (A-STEP) 探索タイプ
    テーマ:
    "格子整合基板ScAlMgO4 導入によるエピタキシャル成長GaN 薄膜の高品質化に関する研究"
    課題番号:
    JST-PROJECT-12101475
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 24 年 10 月 — 25 年 9 月
    予算:
    2.99 百万円
  15. 平成25年度 科学技術振興機構 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム (A-STEP) フィージビリティ スタディ
    ステージ:
    探索タイプ
    テーマ:
    "窒化物半導体の素子応用に向けた高In 組成InAlN エピタキシャル成長に関する実用化研究"
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 25 年 8 月 — 26 年 3 月
    予算:
    1.7 百万円
  16. 平成26年度 東北大学 金属材料研究所 低炭素社会実現のための基盤材料創製研究事業に係る 研究プログラム
    テーマ:
    "N 極性InAlN 混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用"
    代表者:
    東北大学 金属材料研究所 窪谷 茂幸 助教
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成 26 年 4 月 — 28 年 3 月
    予算:
    4 百万円
  17. 平成26年度 日本学術振興会 科学研究補助金 挑戦的萌芽
    テーマ:
    "ScAlMgO4 基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究"
    課題番号:
    15K13963
    代表者:
    東北大学 電気通信研究所 末光 哲也 准教授
    役割:
    研究分担者
    期間:
    平成27年度 — 28年度 [2年間]
    予算:
    3.9 百万円
  18. 平成27年度 新エネルギー · 産業技術総合開発機構（NEDO） 戦略的省エネルギー技術革新プログラム
    テーマ:
    "高効率低コストLED を実現するGaN ベース基板の開発>"
    タイプE
    実用化開発フェーズ
    提案法人:
    パナソニック株式会社 (委託：株式会社福田結晶技術研究所)
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成 27 年8 月 — 30 年 3 月
    予算:
    ：405 百万円 (分担: 24 百万円)
  19. 平成27年度 日本学術振興会 科学研究補助金基盤研究 (B)
    テーマ:
    窒素極性InGaN チャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究
    課題番号:
    16H04341
    代表者:
    東北大学 電気通信研究所 末光 哲也
    役割:
    分担者
    期間:
    平成 28 年 4 月 1 日 — 31 年 3 月 31 日
    予算:
    12.8 百万円
  20. 平成27年度日本学術振興会科学研究補助金基盤研究（B）
    テーマ:
    非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究
    課題番号:
    16H04221
    代表者:
    北海道大学 電子科学研究所 石橋 晃
    役割：
    分担者
    期間:
    平成28年度 — 平成30年度 [3 年間]
    予算:
    16.12 百万円 (分担: 1.5 百万円)
  21. 平成28度 日本学術振興会 科学研究補助金基盤研究 (B)
    テーマ:
    "窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術"
    課題番号:
    16H03857
    役割:
    研究代表者
    期間:
    平成28年度 - 平成30年度 [3 年間]
    予算:
    16.25 百万円
  22. Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Science
    代表者:
    Małgorzata Iwińska(Unipress), 松岡 隆志(東北大) <共同代表>
    テーマ:
    "Research on Nitride Semiconductors"
    期間:
    令和 3 年 10 月 1 日 — 5 年 3 月 31 日

民間との共同研究

  1. 社
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 17 年 11 月 24 日 — 22 年 3 月 31 日
    予算:
    23.05 百万円
  2. 社   "ZnO およびGaN の単結晶基板上MO-CVD による窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究"
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 17 年 9 月 1 日 — 21 年 3 月 31 日
    予算:
    7.0 百万円
  3. 社
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 23 年 6 月28 日 — 24 年3 月23 日
    予算:
    なし
  4. 社
    役割:
    研究代表
    期間:
    平成 25 年 2 月8 日 — 30 年 3 月 31 日
    予算
    なし
  5. 社
    研究代表:
    谷川 智之 助教/講師
    役割:
    共同研究者
    期間:
    平成 25 年 4 月1 日 — 31 年 3 月31 日
    予算:
    3.0 百万円
  6. 社
    役割:
    研究代表
    第一期
    期間(1):
    平成 27 年 4 月 1 日 — 29 年 3 月 31 日
    予算(1):
    34.619 百万円
    期間(2):
    平成 29 年 4 月1 日 — 31 年 3 月 31 日
    予算(2):
    59.702 百万円
    第二期
    期間:
    令和 3 年 4 月 1 日 — 5 年 3 月 31 日
    予算:
    52.81 百万円
  7. 社
    役割
    研究代表
    期間:
    令和 3 年 7 月 1 日 — 令和 5 年 6 月 30 日
    予算:
    10.4 百万円

技術指導

  1. 社: 2020 年 4 月 1 日 - 2023 年 3 月 31 日
  2. 社: 2021 年 7 月 1 日 - 2022 年 6 月 30 日